BSS84X HZG Small Signal MOSFET

ROHM Semiconductor BSS84X HZG Small Signal MOSFET is offered in a leadless ultra-small package with an exposed drain pad for excellent thermal conduction. The BSS84X HZG Small Signal MOSFET features a -60V drain-source voltage, ±230mA continuous drain current, and 1.0W power dissipation. The BSS84X HZG is designed for switching circuits, high-side load switch, and relay driver applications.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
ROHM Semiconductor MOSFETs AECQ
Karta charakterystyki
296Na stanie magazynowym
39 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 350 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs SOT323 P-CH 60V .21A
Karta charakterystyki
4 162Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 P-Channel 1 Channel 60 V 210 mA 5.3 Ohms 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFETs MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W
Karta charakterystyki
16 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 8 000

Si SMD/SMT DFN-1010-3 P-Channel 1 Channel 60 V 230 mA 5.3 Ohms 20 V 2.5 V - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape