1200V C4MS Discrete SiC MOSFETs

Wolfspeed 1200V C4MS Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs deliver unparalleled performance in hard-switched applications. The C4MS family utilizes a fast and soft body diode that enables fast switching with minimal overshoot and ringing, thereby expanding the usable design space for engineers to tune and optimize the performance in the application. The C4MS family provides improved Eon, ERR, and Eoff losses compared to the C3M family of devices, while maintaining a low RDS(on) temperature coefficient. This balanced approach provides maximum performance and efficiency across a wide range of both hard-switched and soft-switched topologies.

Wyniki: 16
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Karta charakterystyki
330Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,36m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Karta charakterystyki
560Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 340 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 65m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Karta charakterystyki
308Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,36m,1200V, TSC (U2), Industrial
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 23.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 357 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,25m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 23.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 429 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 23.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,25m,1200V, TSC (U2), Industrial
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 18.06.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 455 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 36m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 23.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 36m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 23.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,47m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 23.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 280 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 47m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 23.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 47m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 23.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,47m,1200V, TSC (U2), Industrial
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 15.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,65m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 23.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 1.2 kV 40 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 211 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET,65m,1200V, TSC (U2), Industrial
Karta charakterystyki
800Oczekiwane: 18.06.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 1 Channel 1.2 kV 42 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 215 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 65m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Karta charakterystyki
450Oczekiwane: 23.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement