NCV51561BBDWR2G

onsemi
863-NCV51561BBDWR2G
NCV51561BBDWR2G

Produc.:

Opis:
Galvanically Isolated Gate Drivers 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Automotive Gate Driver Automotive

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o onsemi NCV51561BBDWR2G

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Galwanicznie izolowane sterowniki bramek
RoHS:  
NCV51561
SMD/SMT
SOIC-16
- 40 C
+ 125 C
58 ns
Reel
Cut Tape
Marka: onsemi
Liczba sterowników: 2 Driver
Liczba wyjść: 2 Output
Produkt: MOSFET Gate Drivers
Rodzaj produktu: Galvanically Isolated Gate Drivers
Wielkość opakowania producenta: 1000
Podkategoria: PMIC - Power Management ICs
Napięcie zasilania – max.: 5 V
Napięcie zasilania – min.: 3 V
Technologia: SiC
Rodzaj: High-Side, Low-Side
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Karta charakterystyki

PCN

Kody zgodności
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Filipiny
Kraj montażu:
Filipiny
Kraj wytworzenia:
Japonia
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.

NCV51561 Isolated Dual Channel Gate Driver

onsemi NCV51561 Isolated Dual-Channel Gate Driver features a 4.5A source and 9A sink peak current with short and matched propagation delays. The NCV51561 is intended for fast switching to drive power MOSFETs and SiC MOSFET power switches.

Na stanie magazynowym: 982

Stany magazynowe:
982 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
34 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
Ilości większe niż 982 będą podlegać wymogom dotyczącym zamówień minimalnych.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
15,58 zł 15,58 zł
11,79 zł 117,90 zł
10,87 zł 271,75 zł
9,81 zł 981,00 zł
9,33 zł 2 332,50 zł
9,28 zł 4 640,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1000)
8,71 zł 8 710,00 zł

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Masz pytanie? Odwiedź Centrum pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, zaloguj się na swoje konto.

W przypadku wystąpienia dalszych problemów skontaktuj się z nami pod numerem 800-346-6873 lub napisz na adres help@mouser.com.