Tranzystory FET eMode GaN

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Wyniki: 18
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Technologia
Nexperia GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Karta charakterystyki
1 756Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
Karta charakterystyki
238Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
Karta charakterystyki
250Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
Karta charakterystyki
249Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
Karta charakterystyki
160Na stanie magazynowym
90Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
Karta charakterystyki
220Na stanie magazynowym
30Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
Karta charakterystyki
240Na stanie magazynowym
10Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Karta charakterystyki
2 405Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Karta charakterystyki
2 393Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Karta charakterystyki
1 864Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Karta charakterystyki
2 329Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Karta charakterystyki
1 892Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060-
Karta charakterystyki
2 334Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8
Karta charakterystyki
857Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA
Karta charakterystyki
2 239Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Karta charakterystyki
2 488Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Karta charakterystyki
565Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060-
Karta charakterystyki
52Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN