Tranzystory FET eMode GaN

Nexperia eMode GaN FETs come in a voltage range from 100V to 650V with superior switching performance. These GaN FETs offer fast transition capabilities through their low QC and QOSS values, resulting in excellent power efficiency.

Wyniki: 18
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału
Nexperia GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1 908Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK 2 404Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK 2 416Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060 1 945Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK 2 354Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080- 1 921Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060- 2 155Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8 830Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA 2 633Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK 2 488Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060- 83Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080- 531Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement
Nexperia GaN FETs GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
250Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
250Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
249Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
250Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
250Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
250Oczekiwane: 19.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1