SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) feature high reverse voltage ratings and short reverse recovery time (trr). Toshiba also provides 650V SBDs with a junction barrier Schottky (JBS) structure for low leakage current (Ir) and high surge current capability. These devices improve the efficiency of switched-mode power supplies.

Wyniki: 24
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
97Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 79 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
Karta charakterystyki
29Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.6 V 130 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 6A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
160Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 6 A 650 V 1.45 V 52 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes V=650 IF=8A
Karta charakterystyki
7Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes SiC Schottky barrier diode;TO-247-2L; Vrrm=1200V; IF=40A; PD=454W
Karta charakterystyki
58Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 102 A 1.2 kV 1.27 V 1.91 kA 3.6 uA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 38A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
36Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 38 A 1.2 kV 1.27 V 690 A 1 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 18A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
36Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 36 A 1.2 kV 1.27 V 820 A 500 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 61A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
68Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 61 A 1.2 kV 1.27 V 1.08 kA 2 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 32A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
24Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 64 A 1.2 kV 1.27 V 1.38 kA 1 uA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 30A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
67Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2L Single 83 A 1.2 kV 1.27 V 1.63 kA 2.8 uA + 175 C
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
100Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 92 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A
Karta charakterystyki
11Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 12 A 650 V 1.6 V 104 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
15Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-2 Single 50 A 1.2 kV 1.27 V 940 A 1.4 uA - 55 C + 175 C Tube

Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 25A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
15Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Common Anode 50 A 1.2 kV 1.27 V 1.06 kA 700 nA - 55 C + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
60Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.6 V 158 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 2A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
206Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 20.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
115Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 37 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
Karta charakterystyki
300Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 650 V 1.6 V 184 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes V=650 IF=6A
Karta charakterystyki
Czas realizacji 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 3A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 8A RDL SIC SKY
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220F-2L Single 8 A 650 V 1.45 V 65 A 400 nA + 175 C Tube