650V 3-level IGBT Modules

Infineon Technologies 650V 3-level IGBT Modules are EasyPACK™ modules with Trench/Fieldstop technology. These modules feature low inductive design, low switching losses, and low VCE(sat). The IGBT modules provide Al2O3 substrate with low thermal resistance, compact design, PressFIT contact technology, and rugged mounting due to integrated mounting clamps. Potential applications include three-level applications, motor drives, solar applications, and UPS systems in EasyPACK™ modules.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Konfiguracja
Max. napięcie kolektor-emiter VCEO
Napięcie nasycenia kolektor-emiter
Ciągły prąd kolektora przy 25°C
Prąd upływowy bramka–emiter
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules EASY
Karta charakterystyki
2Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.46 V 100 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules EASY
Karta charakterystyki
4Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.68 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules EASY
Karta charakterystyki
9Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.68 V 150 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules EASY
Karta charakterystyki
11Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.68 V 150 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray