NT9003HDAE4S 1mW Class Rectifier Diodes

Nisshinbo NT9003HDAE4S 1mW Class Rectifier Diodes are optimized for rectifier circuits in microwave WPT operating at 920MHz, 2.4GHz, and 5.7GHz bands. These diodes feature 0.1V typical at IF =4µA low forward voltage, and 20V high-reverse voltage, enabling a wide dynamic range and high-efficiency in WPT rectifier circuits. The NT9003HDAE4S diodes enable a compact mounting area with the small DFN package of 1.2mm x 1.2mm x 0.427mm. These diodes are RoHS-compliant and halogen-free. The NT9003HDAE4S diodes are ideal for detectors and rectifier circuits for microwave wireless power transfer systems.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Vr – napięcie wsteczne
If – prąd przewodzenia diody
Vf – Napięcie przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Seria
Opakowanie
Nisshinbo Rectifiers Diode for 1mW Class Rectifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 3 000
Wielokr.: 3 000
: 3 000

SMD/SMT DFN-4 20 V 4 uA 100 mV 1 uA - 40 C + 85 C NT9000 Reel
Nisshinbo Rectifiers Engineering Sample - Diode for 1mW Class Rectifier
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 4 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

SMD/SMT DFN-4 20 V 4 uA 100 mV 1 uA - 40 C + 85 C NT9000