GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low RDS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.

Wyniki: 7
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Maksymalna częstotliwość robocza Minimalna częstotliwość robocza Technologia
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13" 2 460Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
44,04 zł
24,68 zł
23,80 zł
21,82 zł
Opakowanie zbiorcze
20,20 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C Depletion GaN
Central Semiconductor GaN FETs 100V, 60A, N-Channel Chip Scale GaNFET 1 359Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
25,83 zł
13,73 zł
12,58 zł
11,75 zł
10,03 zł
Opakowanie zbiorcze
10,03 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500
SMD/SMT CSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 5.5 mOhms - 4 V, + 6 V 2.5 V 9.2 nC - 40 C + 150 C 1.1 W GaN
Central Semiconductor GaN FETs 100A,150V Surface mount N-Channel GaN MOSFET 2 490Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
41,05 zł
22,84 zł
21,74 zł
19,89 zł
Opakowanie zbiorcze
18,48 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 100 A 3.9 mOhms - 4 V, + 6 V 2.1 V 20 nC - 40 C + 150 C 200 mW Enhancement GaN
Central Semiconductor GaN FETs 150V, 60A, N-Channel Chip, GaN FET, CSP4X6 Package, 7" 2 463Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
32,30 zł
17,56 zł
16,10 zł
15,80 zł
13,86 zł
Opakowanie zbiorcze
13,46 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
SMD/SMT CSP-25 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 7 mOhms - 4 V, + 6 V 13 nC - 40 C + 150 C 200 mW GaN
Central Semiconductor GaN FETs 700V, 18A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13" 2 458Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
27,46 zł
14,74 zł
13,46 zł
12,80 zł
11,75 zł
Opakowanie zbiorcze
10,87 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 18 A 140 mOhms - 6 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 155 C 113 W Depletion GaN
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 11A, N-Channel GaN FET 2 080Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
23,10 zł
12,19 zł
11,13 zł
10,12 zł
9,77 zł
Opakowanie zbiorcze
8,62 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Depletion 100 kHz 0 Hz GaN
Central Semiconductor GaN FETs 650V, 17A, N-Channel GaN FET 2 428Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
26,22 zł
13,95 zł
12,80 zł
12,01 zł
11,00 zł
Opakowanie zbiorcze
10,16 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
SMD/SMT DFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 1.4 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Depletion 100 kHz 0 Hz GaN