Diody 1200 V CoolSiC Schottky

Diody 1200 V CoolSiC Schottky firmy Infineon są oferowane z prądem przewodzenia do 40 A w obudowie TO-247, 20 A w TO-220 i 10 A w DPAK. Są przeznaczone do falowników solarnych, UPS, zasilaczy 3P SMPS, urządzeń do przechowywania energii i napędów silnikowych. Dzięki obniżeniu napięcia przewodzenia i zależności od temperatury wprowadzają nowy poziom wydajności systemu. Ponadto sprawność cieplna udoskonalona w porównaniu z rozwiązaniami opartymi na krzemie zwiększa niezawodność systemu i możliwość zwiększenia mocy wyjściowej odpowiednio do danej wielkości urządzenia. W połączeniu z IGBT Si HighSpeed 3 zapewniają o 40% mniejsze straty przy włączeniu IGBT Si i mniejszą wartość EMI.
Dowiedz się więcej

Wyniki: 29
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Konfiguracja If – prąd przewodzenia diody Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne Vf – Napięcie przewodzenia Ifsm – prąd udarowy przewodzenia Ir – Prąd wsteczny Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Vr – napięcie wsteczne Seria Opakowanie
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC CHIP/DISCRETE
1 200Oczekiwane: 25.03.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 40 A 1.2 kV 1.4 V 290 A 23 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV IDW40G120C5 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes CoolSiC 1200 V Schottky diode G5 with .XT interconnection technology
480Oczekiwane: 17.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE Czas realizacji 52 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT Single 8 A 1.2 kV 1.95 V 70 A 40 uA - 55 C + 175 C IDK08G120C5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DISCRETE Czas realizacji 52 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

SMD/SMT Single 16 A 1.2 kV 1.95 V 140 A 80 uA - 55 C + 175 C IDK16G120C5 Reel, Cut Tape