Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

Przejdź do głównej treści

Jesteśmy częścią TTI Family of SpecialistsKontakt z Mouser: +48 71 749 74 00Opinie

Zmień lokalizację

+48 71 749 74 00 Zmień lokalizację

Na stanie

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

1700V Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Wolfspeed 1700V Discrete Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are engineered to deliver exceptional efficiency, power density, and reliability in high-voltage power conversion systems. By leveraging advanced SiC technology, these MOSFETs enable faster switching speeds, higher operating frequencies, and reduced power losses compared to conventional silicon-based devices. The result is smaller, lighter, and more efficient system designs with reduced cooling requirements and lower overall system costs. Featuring 12V to 15V gate-drive operation, low capacitance, and high blocking-voltage capability, the Wolfspeed 1700V devices deliver robust performance in demanding industrial and energy applications.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 6

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Nazwa handlowa

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa
	SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial C3M0900170J-TR Wolfspeed 1: 22,44 zł 2 442Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części C3M0900170J-TR Nr części Mouser 941-C3M0900170J-TR Nowe produkty	Wolfspeed	SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-263-7 T&R, Industrial Dowiedz się więcej o Wolfspeed 1700v discrete sic mosfets	Karta charakterystyki	2 442Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 22,44 zł 12,67 zł 10,96 zł 9,11 zł Opakowanie zbiorcze 8,32 zł 7,22 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800			SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1700 V	4.4 A	1.25 Ohms	- 8 V, + 20 V	4.2 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	41 W	Enhancement
	SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3, Industrial C3M0900170D Wolfspeed 1: 23,06 zł 1 603Na stanie magazynowym 900Oczekiwane: 07.12.2026 Nowe produkty	Produc. Nr części C3M0900170D Nr części Mouser 941-C3M0900170D Nowe produkty	Wolfspeed	SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3, Industrial Dowiedz się więcej o Wolfspeed 1700v discrete sic mosfets	Karta charakterystyki	1 603Na stanie magazynowym 900Oczekiwane: 07.12.2026	23,06 zł 13,90 zł 10,96 zł 9,20 zł Przeglądaj 8,40 zł 7,96 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1700 V	4.4 A	1.25 Ohms	- 8 V, + 20 V	4.2 V	10 nC	- 55 C	+ 175 C	41 W	Enhancement
	SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3PF, Industrial C3M0900170M Wolfspeed 1: 20,28 zł 281Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części C3M0900170M Nr części Mouser 941-C3M0900170M Nowe produkty	Wolfspeed	SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 900mO, 1700V, TO-247-3PF, Industrial Dowiedz się więcej o Wolfspeed 1700v discrete sic mosfets	Karta charakterystyki	281Na stanie magazynowym	20,28 zł 10,30 zł 9,33 zł 7,92 zł 7,52 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-3PF-3	1 Channel	1700 V	4 A	1.25 Ohms	- 8 V, + 20 V	4.2 V	10 nC	- 55 C	+ 175 C	33 W	Enhancement
	SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-3, Industrial C3M0030170D Wolfspeed 1: 145,16 zł 860Dostępna ilość z otwartych zamówień Nowe produkty	Produc. Nr części C3M0030170D Nr części Mouser 941-C3M0030170D Nowe produkty	Wolfspeed	SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-3, Industrial Dowiedz się więcej o Wolfspeed 1700v discrete sic mosfets	Karta charakterystyki	860Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: C3M0030170D Stany magazynowe: 0 Dostępna ilość z otwartych zamówień: 410 Oczekiwane: 04.12.2026 450 Oczekiwane: 21.01.2027 Średni czas produkcji: 17 tygodni	145,16 zł 92,97 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1700 V	74 A	40.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	222 nC	- 40 C	+ 175 C	427 W	Enhancement	C3M
	SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-4, Industrial C3M0030170K Wolfspeed 1: 153,87 zł 450Oczekiwane: 28.12.2026 Nowe produkty	Produc. Nr części C3M0030170K Nr części Mouser 941-C3M0030170K Nowe produkty	Wolfspeed	SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-4, Industrial Dowiedz się więcej o Wolfspeed 1700v discrete sic mosfets	Karta charakterystyki	450Oczekiwane: 28.12.2026	153,87 zł 111,28 zł 95,57 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1700 V	74 A	40.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	219 nC	- 40 C	+ 175 C	427 W	Enhancement	C3M
	SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-4 Plus, Industrial C3M0030170P Wolfspeed 1: 145,16 zł 450Dostępna ilość z otwartych zamówień Nowe produkty	Produc. Nr części C3M0030170P Nr części Mouser 941-C3M0030170P Nowe produkty	Wolfspeed	SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 30mO, 1700V, TO-247-4 Plus, Industrial Dowiedz się więcej o Wolfspeed 1700v discrete sic mosfets	Karta charakterystyki	450Dostępna ilość z otwartych zamówień	145,16 zł 92,97 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1700 V	74 A	40.5 mOhms	- 8 V, + 19 V	3.6 V	219 nC	- 40 C	+ 175 C	427 W	Enhancement	C3M