CoolGaN™ 650V G5 Transistors

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 Transistors feature highly efficient gallium nitride (GaN) transistor technology for power conversion. The 650V G5 family addresses consumer, data center, industrial, and solar application challenges. The transistors offer improved system efficiency and power density with ultra-fast switching capability. The CoolGaN technology provides discrete and integrated solutions designed to enhance overall system performance. The Infineon Technologies CoolGaN 650V G5 Transistors enable high operating frequencies and reduce EMI ratings. The transistors are ideal for power distribution, switch-mode power supplies (SMPS), telecommunications, and other industrial applications.

Wyniki: 14
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa
Infineon Technologies GaN FETs Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration 2 970Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT QFN-32 N-Channel 2 Channel 650 V 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 4 017Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 03.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 1 573Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 22 A 70 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 2 787Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 2 825Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 16 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 2 285Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 2 143Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 70 mOhms - 10 V 1.2 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 2 679Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.2 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 2 561Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 140 mOhms - 10 V 1.2 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 2 657Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 12 A 170 mOhms - 10 V 1.2 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 1 533Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 6 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 1 519Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 264Na stanie magazynowym
8 000Oczekiwane: 24.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 49 A 42 mOhms - 10 V 1.6 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5 96Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 27.08.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 31 A 66 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement CoolGaN