YQx High Efficient Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor YQx High Efficient Schottky Barrier Diodes are designed to improve the tradeoff between low VF and low IR. Despite low VF values, these devices consistently deliver stable performances even when subjected to higher temperatures. These highly efficient power mold-type Schottky barrier diodes exhibit trench MOS structures. The YQx Schottky barrier diodes offer 100V reverse voltage, high reliability, and low capacitances. These devices are ideal for switching power supplies, freewheel diodes, and reverse polarity protection applications.

Wyniki: 40
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
Technologia
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Maksymalna temperatura robocza
Kwalifikacje
Opakowanie
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 60A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
915Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
Schottky Diodes SMD/SMT TO-263FL-3 Dual Anode Common Cathode Si 30 A 100 V 700 mV 150 A 200 uA + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 60A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
Schottky Diodes SMD/SMT TO-263FL-3 Dual Anode Common Cathode Si 60 A 100 V 700 mV 150 A 200 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 3A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
4 108Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Schottky Diodes SMD/SMT PMDE-2 Single Si 3 A 100 V 880 mV 30 A + 175 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 3A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
2 033Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000
Schottky Diodes SMD/SMT PMDE-2 Single Si 3 A 100 V 880 mV 30 A 10 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ10RSM10SDTF is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable opera
Karta charakterystyki
2 583Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 100 V 610 mV 200 A 80 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 10A, TO-277A, Highly Efficient SBD: The YQ10RSM10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high temp
Karta charakterystyki
7 534Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 100 V 610 mV 200 A 80 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 12A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
3 950Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 12 A 100 V 630 mV 220 A 90 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 12A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
3 568Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 12 A 100 V 630 mV 220 A 90 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 15A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
5 557Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 15 A 100 V 640 mV 230 A 100 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 15A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
4 095Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 15 A 100 V 640 mV 230 A 100 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD: The YQ20BGE10SD is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
Karta charakterystyki
4 797Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 150 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-252, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20BM10SDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operati
Karta charakterystyki
4 497Na stanie magazynowym
2 500Oczekiwane: 23.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 150 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 3A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
3 832Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 3 A 100 V 580 mV 80 A 30 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 5A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
5 900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Schottky Diodes SMD/SMT SOD-128-2 Single Si 5 A 100 V 720 mV 80 A 25 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 5A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
8 961Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Schottky Diodes SMD/SMT SOD-128-2 Single Si 5 A 100 V 580 mV 100 A 50 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 5A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
3 900Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 5 A 100 V 720 mV 80 A 25 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 5A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
3 955Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 5 A 100 V 720 mV 80 A 25 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 8A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
3 576Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 8 A 100 V 630 mV 140 A 60 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 8A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
3 905Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-277A-3 Dual Anode Common Cathode Si 8 A 100 V 630 mV 140 A 60 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 1A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
2 998Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Schottky Diodes SMD/SMT PMDE-2 Single Si 1 A 100 V 660 mV 25 A 6 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10CDFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
Karta charakterystyki
1 900Na stanie magazynowym
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 100 V 650 mV 150 A 70 uA + 150 C Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD for Automotive: The YQ20NL10SEFH is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operat
Karta charakterystyki
2 000Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 200 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Trench MOS Structure, 100V, 20A, TO-263L, Highly Efficient SBD: The YQ20NL10SE is a highly efficient Schottky Barrier Diode that is designed improving the tradeoff between low VF and low IR. While its low VF it achieves stable operation at high tempe
Karta charakterystyki
1 988Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263L-3 Single Si 20 A 100 V 790 mV 200 A 80 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 2A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
1 936Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Schottky Diodes SMD/SMT SOD-128-2 Single Si 2 A 100 V 600 mV 70 A 15 uA + 175 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers RECT 100V 2A SM SKY BARRI
Karta charakterystyki
2 257Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Schottky Diodes SMD/SMT SOD-128-2 Single Si 2 A 100 V 600 mV 70 A 15 uA + 175 C Reel, Cut Tape