MXP075 MaxSiC® 750V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC® 750V N-Channel MOSFETs feature a 750V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature maximum power dissipation of 208W (Tc = 25°C) and continuous drain current of 51A (Tc = 25°C). The Vishay Semiconductors MXP075 MaxSiC 750V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in the TO-247AD 4L package. Users design these MOSFETs into chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 14.04.2027
49,59 zł
28,12 zł
26,05 zł
23,63 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 750-V N-CHANNEL SIC MOSFET
Karta charakterystyki
600Oczekiwane: 14.04.2027
51,48 zł
29,30 zł
27,15 zł
24,77 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 750 V 51 A 50 mOhms - 10 V, + 22 V 2.65 V 77 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement