Wyniki: 43
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 480Na stanie magazynowym
60,15 zł
34,10 zł
33,84 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 24 mOhms 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 614Na stanie magazynowym
47,30 zł
26,14 zł
24,73 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 26 mOhms 20 V 3.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 1 376Na stanie magazynowym
2 640Oczekiwane: 23.09.2027
30,05 zł
15,84 zł
14,56 zł
13,60 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 2 756Na stanie magazynowym
26,62 zł
14,21 zł
13,02 zł
12,36 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 284Na stanie magazynowym
720Dostępna ilość z otwartych zamówień
41,36 zł
22,53 zł
20,86 zł
20,72 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 61Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
34,14 zł
18,88 zł
17,38 zł
17,07 zł
Opakowanie zbiorcze
15,27 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 160Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 10.12.2026
37,31 zł
24,46 zł
17,91 zł
17,86 zł
17,34 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms 20 V 3.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 752Na stanie magazynowym
14,17 zł
9,24 zł
6,69 zł
5,63 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW 338Na stanie magazynowym
12,85 zł
6,42 zł
5,81 zł
4,66 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 237 mOhms 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 748Na stanie magazynowym
14,12 zł
7,13 zł
6,42 zł
5,24 zł
5,06 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 41Na stanie magazynowym
500Oczekiwane: 10.12.2026
30,67 zł
16,59 zł
15,22 zł
13,95 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 60 mOhms 10 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 114Na stanie magazynowym
240Oczekiwane: 01.03.2027
22,04 zł
11,26 zł
10,30 zł
8,98 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 151Na stanie magazynowym
56,98 zł
32,08 zł
31,50 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 29 mOhms 20 V 4.5 V 145 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW 517Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
21,30 zł
11,13 zł
10,82 zł
9,59 zł
8,89 zł
Opakowanie zbiorcze
8,58 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 90 mOhms 20 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
4 000Oczekiwane: 04.02.2027
Odcinek taśmy
47,74 zł
34,54 zł
28,78 zł
25,65 zł
Opakowanie zbiorcze
24,24 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
500Oczekiwane: 03.06.2027
18,00 zł
9,33 zł
8,45 zł
6,91 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 19 tygodni
Odcinek taśmy
18,35 zł
9,81 zł
8,93 zł
7,61 zł
7,30 zł
Opakowanie zbiorcze
6,82 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 8 tygodni
18,57 zł
9,33 zł
8,80 zł
8,32 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube