NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches

Navitas Semiconductor NV6428 Bi-Directional GaNFast™ Power Switches are designed to block voltage in both directions. A monolithic, integrated substrate-clamping circuit between each source and the common substrate automatically clamps the source-to-substrate voltage. Navitas’ unique substrate clamp technology delivers optimized switching performance during 4-quadrant operation compared to a floating-substrate switch, which can experience a "back-gating effect".

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Id – Ciągły prąd drenu Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT 387Na stanie magazynowym
450Oczekiwane: 13.01.2027
Odcinek taśmy
61,60 zł
46,33 zł
34,54 zł
Opakowanie zbiorcze
34,54 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 450
SMD/SMT TOLT-16 49 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.62 nC - 40 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast BDS 650V 52mOhm TOLT Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
Odcinek taśmy
66,57 zł
50,69 zł
42,24 zł
37,66 zł
31,99 zł
Opakowanie zbiorcze
31,99 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 500
SMD/SMT TOLT-16 49 A - 10 V, 7 V 2.8 V 3.62 nC - 40 C + 150 C