1200V 3-level IGBT Modules

Infineon Technologies 1200V 3-level IGBT Modules deliver electrical performance and high reliability without limiting the design flexibility. The IGBT modules cover a range from only hundreds of watts to several megawatts. The 1200V IGBT Modules are designed for 3-level-applications.

Wyniki: 6
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Konfiguracja Max. napięcie kolektor-emiter VCEO Napięcie nasycenia kolektor-emiter Ciągły prąd kolektora przy 25°C Prąd upływowy bramka–emiter Pd – strata mocy Opakowanie/obudowa Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Styl mocowania Technologia Opakowanie
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 25 A 3-level IGBT module 358Na stanie magazynowym
130,68 zł
91,87 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.85 V 25 A 100 nA 215 W EasyPack1B - 40 C + 150 C Through Hole Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 75 A 3-level IGBT module 9Na stanie magazynowym
142,69 zł
102,39 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Quad 1.2 kV 1.45 V 75 A 275 W - 40 C + 150 C Screw Mount Si Tray


Infineon Technologies IGBT Modules 650 V, 400 A 3-level IGBT module
8Oczekiwane: 03.12.2026
382,58 zł
346,63 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 880 mV 255 A 100 nA - 40 C + 150 C Si Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 400 A 3-level IGBT module Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 26 tygodni
638,18 zł
619,92 zł
Min.: 6
Wielokr.: 6
Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 25 A 3-level IGBT module Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 19 tygodni
214,06 zł
157,78 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Tray
Infineon Technologies F3L200R12N2H3B47BPSA2
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 200 A 3-level IGBT module Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
270,29 zł
Min.: 15
Wielokr.: 15
Si Tray