RBQx Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RBQx Schottky Barrier Diodes are AEC-Q101 qualified high-reliability low IR diodes for general rectification. These diodes feature a power mold type, cathode common dual type, and Silicon epitaxial planar structure. The RBQx Schottky barrier diodes from ROHM Semiconductor are stored at -55°C to +150°C temperature range. These diodes function at +150°C junction temperature and 100A peak forward surge current. The RBQx Schottky barrier diodes are ideal for switching power supply.

Wyniki: 28
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Produkt
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
Technologia
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Maksymalna temperatura robocza
Kwalifikacje
Opakowanie
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low IR, 100V, 10A, TO-263S (D2PAK)
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 100 V 770 mV 100 A 80 uA + 150 C AEC-Q101 Reel
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low IR, 45V, 10A, ITO-220AB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

Schottky Diodes Through Hole TO-220FN-3 Dual Anode Common Cathode Si 10 A 45 V 550 mV 50 A 10 uA + 150 C Tube
ROHM Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Barrier Diode Low IR, 100V, 20A, TO-263S (D2PAK)
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000

Schottky Diodes SMD/SMT TO-263-3 Dual Anode Common Cathode Si 20 A 100 V 770 mV 100 A 140 uA + 150 C AEC-Q101 Reel