P-Channel MOSFETs

Toshiba P-Channel MOSFETs product offering features P-channel power MOSFETs for load switching in ultra-portable mobile computing devices and battery protection circuits for large capacity batteries. Developed using advanced trench-gate processes and packaging technologies, the P-channel MOSFETs are optimized to provide low on-resistance. These low on-resistance power MOSFETs also offer high current ratings, low capacitance, and high permissible power dissipation within a small form factor to meet the lower voltage and lower power requirements of system power supplies in portable electronics applications.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Toshiba MOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI 524Na stanie magazynowym
20 000Oczekiwane: 23.10.2026
Odcinek taśmy
9,72 zł
5,41 zł
4,28 zł
3,40 zł
Opakowanie zbiorcze
2,74 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT SOP-8 P-Channel 1 Channel 20 V 60 A 1.7 mOhms 12 V 500 mV 182 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs P-Channel Mosfet 20V UMOS-VI
29 464Oczekiwane: 23.10.2026
Odcinek taśmy
5,37 zł
2,51 zł
2,23 zł
1,74 zł
Opakowanie zbiorcze
1,30 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TSON-8 P-Channel 1 Channel 20 V 36 A 4.7 mOhms 12 V 500 mV 65 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement U-MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel