Układy MOSFET – Mouser Polska

Przejdź do głównej treści

Jesteśmy częścią TTI Family of SpecialistsKontakt z Mouser: +48 71 749 74 00Opinie

Zmień lokalizację

+48 71 749 74 00 Zmień lokalizację

Na stanie

RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Tranzystory MOSFET DTMOS VI wysokiego napięcia w obudowie TOLL

Tranzystory MOSFET DTMOSVI wysokiego napięcia firmy Toshiba w obudowie TOLL charakteryzują się niską rezystancją dren-źródło w stanie włączonym (Rdson) oraz szybkim przełączaniem i niższą pojemnością. Dzięki temu nadają się idealnie do zastosowań związanych z zasilaniem impulsowym. Ta najnowsza generacja tranzystorów DTMOSVI oferuje najniższy współczynnik FOM, czyli RDS(ON) x Qgd i jest umieszczona w nowej obudowie TOLL (9,9 mm × 11,68 mm × 2,3 mm) z wyprowadzeniem połączenia w układzie Kelvina w celu zmniejszenia strat przy włączaniu i wyłączaniu tranzystora.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 6

Zastosowane filtry:

Opakowanie/obudowa

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Qg – ładunek bramki

Minimalna temperatura robocza

Maksymalna temperatura robocza

Pd – strata mocy

Opakowanie

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Technologia	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Opakowanie
	MOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm TK055U60Z1,RQ Toshiba 1: 26,40 zł 5 960Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK055U60Z1,RQ Nr części Mouser 757-TK055U60Z1RQ	Toshiba	MOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm Dowiedz się więcej o Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Karta charakterystyki	5 960Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 26,40 zł 14,21 zł Opakowanie zbiorcze 14,21 zł Oferta Oferta	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000			Si	SMD/SMT		N-Channel	1 Channel	600 V	40 A	55 mOhms	30 V	4 V	65 nC			270 W	Enhancement	Reel, Cut Tape
	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ TK090U65Z,RQ Toshiba 1: 26,84 zł 1 035Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK090U65Z,RQ Nr części Mouser 757-TK090U65ZRQ	Toshiba	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ Dowiedz się więcej o Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Karta charakterystyki	1 035Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 26,84 zł 13,24 zł 10,82 zł Opakowanie zbiorcze 10,82 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000			Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	30 A	70 mOhms	30 V	4 V	47 nC	- 55 C	+ 150 C	230 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ TK110U65Z,RQ Toshiba 1: 22,04 zł 3 792Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK110U65Z,RQ Nr części Mouser 757-TK110U65ZRQ	Toshiba	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ Dowiedz się więcej o Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Karta charakterystyki	3 792Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 22,04 zł 11,13 zł 9,37 zł 9,02 zł Opakowanie zbiorcze 9,02 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000			Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	24 A	86 mOhms	30 V	4 V	40 nC	- 55 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ TK190U65Z,RQ Toshiba 1: 15,88 zł 1 964Na stanie magazynowym	Produc. Nr części TK190U65Z,RQ Nr części Mouser 757-TK190U65ZRQ	Toshiba	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ Dowiedz się więcej o Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Karta charakterystyki	1 964Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 15,88 zł 7,61 zł 7,17 zł Opakowanie zbiorcze 5,81 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000			Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	15 A	149 mOhms	30 V	4 V	25 nC	- 55 C	+ 150 C	130 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ TK065U65Z,RQ Toshiba 1: 34,54 zł 4 000Oczekiwane: 12.10.2026	Produc. Nr części TK065U65Z,RQ Nr części Mouser 757-TK065U65ZRQ	Toshiba	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=270W F=1MHZ Dowiedz się więcej o Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Karta charakterystyki	4 000Oczekiwane: 12.10.2026	Odcinek taśmy 34,54 zł 21,08 zł 18,26 zł 16,54 zł 14,65 zł Opakowanie zbiorcze 13,24 zł Dostępność opcji MouseReel	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 2 000			Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	38 A	51 mOhms	30 V	4 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	270 W	Enhancement	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ TK155U65Z,RQ Toshiba 2 000: 6,86 zł Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni	Produc. Nr części TK155U65Z,RQ Nr części Mouser 757-TK155U65ZRQ	Toshiba	MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ Dowiedz się więcej o Toshiba silicon n channel mosfets dtmosvi	Karta charakterystyki	Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 16 tygodni	Opakowanie zbiorcze 6,86 zł 6,64 zł	Min.: 2 000 Wielokr.: 2 000 : 2 000			Si	SMD/SMT	2-10AF1A-9	N-Channel	1 Channel	650 V	18 A	122 mOhms	30 V	4 V	29 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	Reel