30V Single N-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor 30V Single N-Channel Power MOSFETs feature a low RDS(ON) (drain-source on-state resistance), which minimizes conductive losses. These devices also feature a low gate charge for fast switching. These N-Channel Power MOSFETs are ideal for battery power management, load switching, motor control, and DC-DC converter applications.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Kwalifikacje Opakowanie
Taiwan Semiconductor MOSFETs 30V, 90A, Single N-Channel Power MOSFET 2 489Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
5,54 zł
2,58 zł
2,30 zł
1,80 zł
Opakowanie zbiorcze
1,45 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 90 A 5.2 mOhms 20 V 2.5 V 41 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 30V, 59A, Single N-Channel Power MOSFET 2 439Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
4,62 zł
2,13 zł
1,89 zł
1,47 zł
Opakowanie zbiorcze
1,17 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 59 A 8 mOhms 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 175 C 55.6 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Taiwan Semiconductor MOSFETs 30V, 194A, Single N-Channel Power MOSFET 826Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
9,81 zł
4,80 zł
4,31 zł
3,45 zł
Opakowanie zbiorcze
3,15 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 500
Si SMD/SMT PDFN-56-8 N-Channel 1 Channel 30 V 194 A 1.8 mOhms 20 V 2.5 V 120 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel