High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

Rodzaje tranzystorów
Zmień widok kategorii
Wyniki: 18
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
Karta charakterystyki
1 050Na stanie magazynowym
30Oczekiwane: 26.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Karta charakterystyki
281Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
Karta charakterystyki
2 644Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
Karta charakterystyki
199Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
Karta charakterystyki
262Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
Karta charakterystyki
277Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
Karta charakterystyki
620Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
Karta charakterystyki
238Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN
Karta charakterystyki
23Na stanie magazynowym
300Oczekiwane: 29.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3


IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 24 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBTs ISOPLUS 3KV 22A IGBT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 77 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 57 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBTs High Voltage High Gain BIMOSFET
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 77 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 3KV 10A IGBT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 77 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs BIMOSFET 2500V 75A
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 77 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs 3600V/92A Rev Conducting IGBT
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie
Min.: 25
Wielokr.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBTs MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 77 tygodni
Min.: 300
Wielokr.: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3