Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NTBL023N065M3S

Name: onsemi NTBL023N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL023N065M3S
Price: 57.99 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NTBL023N065M3S

Nr prod.:

NTBL023N065M3S

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

Cykl życia:

Nowe produkty:

Nowości od tego producenta.

Karta charakterystyki:

NTBL023N065M3S Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NTBL023N065M3S

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	H-PSOF-8
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	77 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	32.6 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 22.6 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4 V
Qg – ładunek bramki:	69 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	312 W
Tryb kanału:	Enhancement
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	9.6 ns
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Produkt:	SiC MOSFETS
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	15 ns
Seria:	NTBL023N065M3S
Wielkość opakowania producenta:	2000
Podkategoria:	Transistors
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Rodzaj tranzystora:	1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	35 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NTBL023N065M3S Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Product Change Notification 2026-7-21 (PDF)

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Filipiny
Kraj montażu:: Filipiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are designed for demanding power applications. The onsemi NTBL023N065M3S MOSFETs feature a typical R_DS(on) of 23mΩ at V_GS = 18V, ultra-low gate charge (Q_G(tot) = 69nC), and high-speed switching with low capacitance (C_oss = 152pF). Fully tested for avalanche performance, the MOSFETs are halide-free, RoHS-compliant with Exemption 7a, and Pb-free at the second-level interconnection. Ideal for applications like Switching Mode Power Supplies (SMPS), solar inverters, Uninterruptable Power Supplies (UPS), energy storage systems, and infrastructure, these SiC MOSFETs provide robust performance for modern power management needs.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

Dowiedz się więcej

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

Dowiedz się więcej

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

Dowiedz się więcej

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

Dowiedz się więcej

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 1 698

Stany magazynowe:: 1 698 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 53 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1 Maksymalnie: 170

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	57,99 zł	57,99 zł
	36,61 zł	366,10 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 2000)
	36,61 zł	73 220,00 zł

NTBL023N065M3S

Produc.: onsemi

Opis: SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

Specyfikacja

Dokumenty (2)

Karta charakterystyki

PCN

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

NTBL023N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY ONSEMI

Na stanie magazynowym: 1 698

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SIC MOS TOLL 23MOHM 650V M3S

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI