1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs

GeneSiC Semiconductor 1200V Gen-3 Fast (G3F) SiC MOSFETs enable 22kW, 800V bi-directional on-board chargers for Electric Vehicles (EVs). These MOSFETs are developed using a proprietary ‘trench-assisted planar’ technology, delivering high-speed performance. The 1200V SiC MOSFETs include 100%-tested avalanche capability, 30% longer short-circuit withstand time, and tight threshold voltage distributions for easy paralleling. These MOSFETs offer a low RDS(ON), superior power density, and cool-running performance. The 1200V SiC MOSFETs achieve up to 95.5% peak efficiency in EV charging and power conversion systems. These MOSFETs are ideal for applications, including EVs and DC-DC converters.

Wyniki: 15
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Tryb kanału
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 753Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1 546Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 1 485Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 135 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
Karta charakterystyki
428Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 18 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 536Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 109 A 20 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 205Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 247Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 25 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 456Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 34 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 761Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 68 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 416Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 61 A 40 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
Karta charakterystyki
1 550Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 473Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 65 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 562Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 39 A 75 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET 1 685Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 35 A 75 mOhms Enhancement
GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET 40Na stanie magazynowym
800Oczekiwane: 23.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 123 A 20 mOhms Enhancement