Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

NVBG070N120M3S

Name: onsemi NVBG070N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NVBG070N120M3S
Price: 59.47 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVBG070N120M3S

Nr prod.:

NVBG070N120M3S

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Karta charakterystyki:

NVBG070N120M3S Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVBG070N120M3S

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
REACH - SVHC:
Styl mocowania:	SMD/SMT
Opakowanie/obudowa:	D2PAK-7
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	1.2 kV
Id – Ciągły prąd drenu:	25 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	87 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 10 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.4 V
Qg – ładunek bramki:	57 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	172 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	8.8 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	12 S
Opakowanie:	Reel
Opakowanie:	Cut Tape
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	12 ns
Seria:	NVBG070N120M3S
Wielkość opakowania producenta:	800
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	SiC
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	30 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	11 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVBG070N120M3S Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification 2025-9-26 (PDF)

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

M3S EliteSiC MOSFETs

onsemi M3S EliteSiC MOSFETs are solutions for high-frequency switching applications that employ hard-switched topologies. The onsemi M3S MOSFETs are designed to optimize performance and efficiency. The device has a remarkable ~40% reduction in total switching losses (Etot) compared to the 1200V 20mΩ M1 counterparts. The M3S EliteSiC MOSFETs are perfectly suited for various applications, including solar power systems, onboard chargers, and electric vehicle (EV) charging stations.

Electric Commercial Agricultural Vehicles (eCAVs)

onsemi Electric Commercial Agricultural Vehicles (eCAVs) are transforming modern agriculture, replacing diesel and gasoline engines with battery-electric, hybrid-electric, and range-extended drivetrains across tractors, harvesters, sprayers, loaders, utility and transport vehicles, and autonomous field robots. Advancements in lithium-ion and LFP batteries, government incentives, rising fuel and maintenance costs, and growing pressure to reduce emissions have helped drive the global eCAV market from $2.0 billion in 2025 to $4.63 billion by 2031, representing a 14.99% CAGR. The result is quieter, lower-maintenance machines that deliver instant torque, regenerative braking, and lower operating costs per hour.

NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET is a 1200V M3S planar EliteSiC MOSFET designed for fast switching applications. This MOSFET offers optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET features a 57nC ultra-low gate charge, 57pF high-speed switching with low capacitance, and 65mΩ typical drain-to-source ON resistance at V_GS=18V. This MOSFET is 100% Avalanche tested, AEC-Q101 qualified, and PPAP capable. The NVBG070N120M3S SiC MOSFET is available in a D2PAK-7L package and is Lead-free 2LI (on second-level interconnection) and RoHS compliant (with exemption 7a). Typical applications include automotive on-board chargers and DC/DC converters for EV/HEV.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

Dowiedz się więcej

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

Dowiedz się więcej

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

Dowiedz się więcej

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

Dowiedz się więcej

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 1 558

Stany magazynowe:: 1 558 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 40 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	59,47 zł	59,47 zł
	41,96 zł	419,60 zł
	35,70 zł	3 570,00 zł
	33,77 zł	16 885,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 800)
	33,77 zł	27 016,00 zł

NVBG070N120M3S

Produc.: onsemi

Opis: SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

Specyfikacja

Dokumenty (2)

Karta charakterystyki

PCN

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

M3S EliteSiC MOSFETs

Electric Commercial Agricultural Vehicles (eCAVs)

NVBG070N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY ONSEMI

Na stanie magazynowym: 1 558

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI