Tranzystory GaN FET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors are 220W discrete GaN-on-SiC HEMTs that operate from 1.2GHz to 1.4GHz, providing typically 53.5dBm of saturated output power with 17dB of large-signal gain and 70% drain efficiency.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 2

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Id – Ciągły prąd drenu	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Maksymalna częstotliwość robocza	Minimalna częstotliwość robocza	Technologia
	GaN FETs 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor QPD1426 Qorvo 1: 2 458,90 zł 10Oczekiwane: 26.11.2026 Nowe produkty	Produc. Nr części QPD1426 Nr części Mouser 772-QPD1426 Nowe produkty	Qorvo	GaN FETs 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor Dowiedz się więcej o Qorvo qpd1426 gan rf power transistor	Karta charakterystyki	10Oczekiwane: 26.11.2026	2 458,90 zł 2 127,93 zł 2 045,16 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			SMD/SMT	NI-400-2	N-Channel	1 Channel	7 A	- 40 C	+ 85 C	221 W	2 GHz	0 Hz	GaN-on-SiC
	GaN FETs 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor QPD1426L Qorvo 1: 2 458,90 zł 10Oczekiwane: 26.11.2026 Nowe produkty	Produc. Nr części QPD1426L Nr części Mouser 772-QPD1426L Nowe produkty	Qorvo	GaN FETs 1.2 - 1.4 GHz, 220 W GaN on SiC RF Transistor Dowiedz się więcej o Qorvo qpd1426 gan rf power transistor	Karta charakterystyki	10Oczekiwane: 26.11.2026	2 458,90 zł 2 127,93 zł 2 045,16 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1			SMD/SMT	NI-400-2	N-Channel	1 Channel	7 A	- 40 C	+ 85 C	221 W	2 GHz	0 Hz	GaN-on-SiC

QPD1426/QPD1426L GaN RF Power Transistors

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie