TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs

Infineon TRENCHSTOP™ 5 H5 (High Speed 5) IGBTs are high-speed and designed with ultimate efficiency for applications switching faster than 30kHz. The High Speed 5 IGBTs feature TRENCHSTOP™ 5 technology and are co-packed with a RAPID 1 fast and soft antiparallel diode. Infineon H5 IGBTs offer leading efficiency in hard switching and resonant topologies and are a plug-and-play replacement for previous generation IGBTs. Typical applications include UPS, welding converters, solar string inverters, and mid- to high-range switching frequency converters.

Rodzaje elementów dyskretnych półprzewodnikowych

Zmień widok kategorii
Wyniki: 14
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Rodzaj produktu Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa
Infineon Technologies IGBTs INDUSTRY 1 240Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
18,17 zł
12,41 zł
9,06 zł
7,70 zł
Opakowanie zbiorcze
7,00 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 478Na stanie magazynowym
26,66 zł
15,27 zł
12,76 zł
11,75 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBTs Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 263Na stanie magazynowym
33,00 zł
19,23 zł
16,06 zł
15,58 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-4
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES 382Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
22,00 zł
14,70 zł
10,96 zł
9,59 zł
Opakowanie zbiorcze
9,06 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 50 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode 514Na stanie magazynowym
30,67 zł
21,60 zł
17,42 zł
15,53 zł
13,77 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES 396Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
18,61 zł
12,28 zł
8,93 zł
7,61 zł
Opakowanie zbiorcze
6,91 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBT Modules 650 V, 40 A 3-level IGBT module 8Na stanie magazynowym
302,94 zł
243,14 zł
230,96 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Opakowanie zbiorcze
18,52 zł
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Opakowanie zbiorcze
8,54 zł
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Opakowanie zbiorcze
8,62 zł
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs DISCRETE SWITCHES Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Opakowanie zbiorcze
10,34 zł
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000
IGBTs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC diode Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
38,98 zł
27,54 zł
22,97 zł
20,46 zł
19,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
IGBTs Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 40 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
16,85 zł
14,96 zł
Min.: 240
Wielokr.: 240
IGBTs Si Through Hole
Infineon Technologies IGBTs 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
24,95 zł
22,22 zł
Min.: 240
Wielokr.: 240
IGBTs Si Through Hole TO-247-4