Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

Wyniki: 9
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Konfiguracja
If – prąd przewodzenia diody
Vrrm – powtarzajace się napięcie wsteczne
Vf – Napięcie przewodzenia
Ifsm – prąd udarowy przewodzenia
Ir – Prąd wsteczny
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Vr – napięcie wsteczne
Seria
Opakowanie
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Karta charakterystyki
1 223Na stanie magazynowym
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 54 A 300 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH06G65 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Karta charakterystyki
1 459Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 124 A 850 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH16G65 Tube

Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Karta charakterystyki
700Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C 650 V XDW40G65 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Karta charakterystyki
171Na stanie magazynowym
5 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 500

Through Hole TO-220-2 Single 4 A 650 V 1.5 V 38 A 200 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH04G65 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Karta charakterystyki
514Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 68 A 400 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH08G65 Tube
Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Karta charakterystyki
7Na stanie magazynowym
1 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 82 A 500 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH10G65 Tube

Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Karta charakterystyki
116Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 28.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 20 A 650 V 1.5 V 103 A 1.1 uA - 55 C + 175 C 650 V XDW20G65 Tube

Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Karta charakterystyki
160Na stanie magazynowym
480Oczekiwane: 07.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C 650 V XDW40G65 Tube

Infineon Technologies SiC Schottky Diodes SIC DIODES
Karta charakterystyki
240Oczekiwane: 06.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Through Hole TO-247-3 Single 12 A 650 V 1.5 V 71 A 600 nA - 55 C + 175 C 650 V XDW12G65 Tube