OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V Automotive Power MOSFETs are advanced N‑channel devices engineered for high-efficiency power switching in modern vehicle architectures. Built on the OptiMOS™ 7 technology, these 100V MOSFETs deliver very low on-resistance, fast switching behavior, and high avalanche capability, enabling reduced conduction and switching losses while maintaining strong ruggedness and thermal performance. These features support high-power-density designs in compact packages, well-suited for demanding automotive environments that require reliability, efficiency, and consistent operation.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Karta charakterystyki
2 000Na stanie magazynowym
Min.: 2 000
Wielokr.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT PG-LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 206 A 2.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 93 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFETs 100 V, N-Ch, Automotive MOSFET, top-side cooled SSO10T (5x7)
Karta charakterystyki
3 973Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT LHDSO-10 N-Channel 1 Channel 100 V 27 A 28.6 mOhms 20 V 2 V 9 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Reel, Cut Tape