MA4E2040 GaAs Beam Lead Schottky Diode

MACOM MA4E2040 GaAs Beam Lead Schottky Diode is fabricated on OMCDVD epitaxial wafers. These diode wafers use a process designed for high device uniformity and low parasitics. The MA4E2040 diodes feature low series resistance, low capacitance, and high cut-off frequency. The high cut-off frequency allows the use through millimeter wave frequencies. This Schottky diode operates at -65ºC to 125ºC operating temperature. Typical applications include single band, double band balanced mixers and automotive radar systems, and police radar detectors.

Nie znaleziono wyników.
Spróbuj zmodyfikować szukany termin poniżej lub odwiedź nasze Centrum pomocy.

Sugestie wyszukiwania

  • Sprawdzić pisownię numeru części lub słów kluczowych
  • Użyj mniejszej liczby słów kluczowych lub użyj innych słów
  • Wyszukiwanie jednorazowo 1 części
  • Zastosuj jednorazowo jeden filtr