TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor

Qorvo TGF2965-SM GaN RF Input-Matched Transistor is a 6W (P3dB), 50Ω-input matched discrete GaN (Gallium-Nitride) on SiC (Silicon Carbide) HEMT (High-Electron Mobility Transistor) which operates from 0.03GHz to 3.0GHz. The integrated input matching network enables wideband gain and power performance. The output can be matched on board to optimize power and efficiency for any region within the band.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Vgs – Napięcie bramka–źródło Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Maksymalna częstotliwość robocza Minimalna częstotliwość robocza Technologia
Qorvo GaN FETs 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V 722Na stanie magazynowym
303,20 zł
300,21 zł
232,28 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT QFN-16 P-Channel 32 V 600 mA 7.5 W 3 GHz 30 MHz GaN
Qorvo GaN FETs .03-3GHz,5W,32V,50OhmGaNRFI/P-MtchT Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 12 tygodni
Opakowanie zbiorcze
240,55 zł
Min.: 2 500
Wielokr.: 2 500
: 2 500
SMD/SMT QFN-16 N-Channel 1 Channel 32 V 600 mA - 7 V, + 2 V - 40 C + 85 C 7.5 W GaN-on-SiC