Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

UJ3C SiC FETs

onsemi UJ3C SiC FETs are Silicon Carbide (SiC) FETs are based on a unique cascode configuration and optimized for soft-switching designs. The UJ3C SiC FETs are ideal for upgrading an existing silicon-based device or starting a SiC-based design. These devices integrate a SiC JFET with a custom-designed Si-MOSFET to produce the ideal combination of normally-OFF operation, high-performance body diode, and easy gate drive of the MOSFET with the efficiency, speed, and high-temperature rating of the SiC JFET. As a result, existing systems can expect a performance increase with lower conduction and switching losses, enhanced thermal properties, and integrated gate ESD protection.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 10

Zastosowane filtry:

Styl mocowania

Opakowanie/obudowa

Vds – Napięcie przebicia dren–źródło

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Vgs – Napięcie bramka–źródło

Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Kwalifikacje

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Kwalifikacje	Nazwa handlowa
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220 UJ3C065030T3S onsemi 1: 100,63 zł 335Na stanie magazynowym 1 000Oczekiwane: 13.11.2026	Produc. Nr części UJ3C065030T3S Nr części Mouser 431-UJ3C065030T3S	onsemi	SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO220 Dowiedz się więcej o onsemi uj3c sic fets	Karta charakterystyki	335Na stanie magazynowym 1 000Oczekiwane: 13.11.2026	100,63 zł 80,56 zł 69,70 zł 61,56 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-220-3	1 Channel	650 V	85 A	35 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	441 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24 UJ3C120040K3S onsemi 1: 138,73 zł 382Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UJ3C120040K3S Nr części Mouser 431-UJ3C120040K3S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/40MOSICFETG3TO24 Dowiedz się więcej o onsemi uj3c sic fets	Karta charakterystyki	382Na stanie magazynowym	138,73 zł 103,14 zł 96,49 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	65 A	45 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	429 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3 UJ3C065080K3S onsemi 1: 45,76 zł 699Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UJ3C065080K3S Nr części Mouser 431-UJ3C065080K3S	onsemi	SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO247-3 Dowiedz się więcej o onsemi uj3c sic fets	Karta charakterystyki	699Na stanie magazynowym	45,76 zł 25,17 zł 25,12 zł 23,36 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	31 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-3 UJ3C065030K3S onsemi 1: 102,21 zł 513Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UJ3C065030K3S Nr części Mouser 431-UJ3C065030K3S	onsemi	SiC MOSFETs 650V/30MOSICFETG3TO247-3 Dowiedz się więcej o onsemi uj3c sic fets	Karta charakterystyki	513Na stanie magazynowym	102,21 zł 61,95 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	85 A	35 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	441 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24 UJ3C120070K4S onsemi 1: 78,63 zł 590Na stanie magazynowym NRND	Produc. Nr części UJ3C120070K4S Nr części Mouser 772-UJ3C120070K4S NRND	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24 Dowiedz się więcej o onsemi uj3c sic fets	Karta charakterystyki	590Na stanie magazynowym	78,63 zł 49,06 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	34.5 A	90 mOhms	- 25 V, + 25 V	6 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	254.2 W	Enhancement		SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24 UJ3C120070K3S onsemi 1: 79,60 zł 1 070Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UJ3C120070K3S Nr części Mouser 431-UJ3C120070K3S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/70MOSICFETG3TO24 Dowiedz się więcej o onsemi uj3c sic fets	Karta charakterystyki	1 070Na stanie magazynowym	79,60 zł 47,74 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	34.5 A	90 mOhms	- 12 V, + 12 V	6 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	254.2 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO24 UJ3C120080K3S onsemi 1: 80,12 zł 361Na stanie magazynowym	Produc. Nr części UJ3C120080K3S Nr części Mouser 431-UJ3C120080K3S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/80MOSICFETG3TO24 Dowiedz się więcej o onsemi uj3c sic fets	Karta charakterystyki	361Na stanie magazynowym	80,12 zł 48,22 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	33 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	254.2 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3 UJ3C065080T3S onsemi 1: 41,80 zł 97Na stanie magazynowym 4 000Dostępna ilość z otwartych zamówień	Produc. Nr części UJ3C065080T3S Nr części Mouser 431-UJ3C065080T3S	onsemi	SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO220-3 Dowiedz się więcej o onsemi uj3c sic fets	Karta charakterystyki	97Na stanie magazynowym 4 000Dostępna ilość z otwartych zamówień Terminy wysyłek bieżących zamówień Nr prod.: UJ3C065080T3S Stany magazynowe: 97 Wysylamy natychmiast Dostępna ilość z otwartych zamówień: 2 000 Oczekiwane: 22.01.2027 2 000 Oczekiwane: 16.04.2027 Średni czas produkcji: 34 tygodni	41,80 zł 29,17 zł 24,33 zł 21,69 zł 20,20 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-220-3	1 Channel	650 V	31 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	190 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2 UJ3C120150K3S onsemi 1: 52,27 zł 53Na stanie magazynowym 1 200Oczekiwane: 16.11.2026	Produc. Nr części UJ3C120150K3S Nr części Mouser 431-UJ3C120150K3S	onsemi	SiC MOSFETs 1200V/150MOSICFETG3TO2 Dowiedz się więcej o onsemi uj3c sic fets	Karta charakterystyki	53Na stanie magazynowym 1 200Oczekiwane: 16.11.2026	52,27 zł 29,17 zł 27,76 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	18.4 A	180 mOhms	- 25 V, + 25 V	3.5 V	30 nC	- 55 C	+ 175 C	166.7 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET
SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3 UJ3C065080B3 onsemi 1: 43,38 zł 160Na stanie magazynowym Wycofane z eksploatacji	Produc. Nr części UJ3C065080B3 Nr części Mouser 431-UJ3C065080B3 Wycofane z eksploatacji	onsemi	SiC MOSFETs 650V/80MOSICFETG3TO263-3 Dowiedz się więcej o onsemi uj3c sic fets	Karta charakterystyki	160Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 43,38 zł 31,42 zł 26,14 zł 23,32 zł Opakowanie zbiorcze 21,78 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 800	SMD/SMT	D2PAK-3 (TO-263-3)	1 Channel	650 V	25 A	100 mOhms	- 25 V, + 25 V	4 V	51 nC	- 55 C	+ 175 C	115 W	Enhancement	AEC-Q101	SiC FET

UJ3C SiC FETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

Udostępnij to

UJ3C SiC FETs

Zastosowane filtry: