SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
IMZC120R022M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
66,95 zł
1 552 Na stanie magazynowym
Nowe produkty
Nr części Mouser
726-IMZC120R022M2HXK
Nowe produkty
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2
1 552 Na stanie magazynowym
1
66,95 zł
10
46,07 zł
100
39,82 zł
480
37,09 zł
1 200
35,36 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
80 A
22 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
71 nC
- 55 C
+ 175 C
329 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
IMZC120R012M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
96,18 zł
496 Na stanie magazynowym
240 Oczekiwane: 27.05.2027
Nowe produkty
Nr części Mouser
726-IMZC120R012M2HXK
Nowe produkty
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2
496 Na stanie magazynowym
240 Oczekiwane: 27.05.2027
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
129 A
12 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
124 nC
- 55 C
+ 175 C
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
IMZC120R017M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
75,43 zł
599 Na stanie magazynowym
Nowe produkty
Nr części Mouser
726-IMZC120R017M2HXK
Nowe produkty
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2
599 Na stanie magazynowym
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 20
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
97 A
17 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
89 nC
- 55 C
+ 175 C
382 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
IMZC120R026M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
55,61 zł
451 Na stanie magazynowym
Nowe produkty
Nr części Mouser
726-IMZC120R026M2HXK
Nowe produkty
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2
451 Na stanie magazynowym
1
55,61 zł
10
39,44 zł
100
33,43 zł
480
29,40 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
69 A
25 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
124 nC
- 55 C
+ 175 C
289 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
IMZC120R034M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
45,28 zł
981 Na stanie magazynowym
Nowe produkty
Nr części Mouser
726-IMZC120R034M2HXK
Nowe produkty
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
981 Na stanie magazynowym
1
45,28 zł
10
27,22 zł
100
23,39 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
55 A
- 10 V, + 25 V
5.1 V
45 nC
- 55 C
+ 175 C
244 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
IMZC120R053M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
36,71 zł
707 Na stanie magazynowym
Nowe produkty
Nr części Mouser
726-IMZC120R053M2HXK
Nowe produkty
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2
707 Na stanie magazynowym
1
36,71 zł
10
21,63 zł
100
18,31 zł
480
18,27 zł
1 200
17,77 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
38 A
53 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
30 nC
- 55 C
+ 175 C
182 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
IMZC120R040M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
43,13 zł
1 992 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Nowe produkty
Nr części Mouser
726-IMZC120R040M2HXK
Nowe produkty
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2
1 992 Dostępna ilość z otwartych zamówień
Wyświetl daty
Dostępna ilość z otwartych zamówień:
1 272 Oczekiwane: 29.10.2026
Średni czas produkcji:
52 tygodni
1
43,13 zł
10
25,75 zł
100
21,97 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
48 A
40 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
39 nC
- 55 C
+ 175 C
218 W
Enhancement
CoolSiC
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
IMZC120R078M2HXKSA1
Infineon Technologies
1:
34,94 zł
480 Oczekiwane: 24.08.2026
Nowe produkty
Nr części Mouser
726-IMZC120R078M2HXK
Nowe produkty
Infineon Technologies
SiC MOSFETs CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
480 Oczekiwane: 24.08.2026
1
34,94 zł
10
22,89 zł
100
19,11 zł
480
15,79 zł
Kup
Min.: 1
Wielokr.: 1
Szczegóły
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
28 A
78 mOhms
- 10 V, + 25 V
5.1 V
21 nC
- 55 C
+ 175 C
143 W
Enhancement
CoolSiC