RFxL RF Power LDMOS Transistors

STMicroelectronics RFxL RF Power LDMOS Transistors offer high-performance intended for multiple applications with different frequency bands. The RFxL RF Power Transistors are available in B4E, B2, and LBB packages.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Polaryzacja tranzystora Technologia Id – Ciągły prąd drenu Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Rds On – rezystancja dren–źródło Częstotliwość robocza Wzmocnienie Moc wyjściowa Maksymalna temperatura robocza Styl mocowania Opakowanie/obudowa Opakowanie
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 400 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor 110Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
665,85 zł
530,82 zł
Opakowanie zbiorcze
530,82 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 120
N-Channel Si 2.5 A 110 V 1 Ohms 1 GHz 19 dB 400 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor 20Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
665,85 zł
530,82 zł
Opakowanie zbiorcze
530,82 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 120
N-Channel Si 2.5 A 65 V 1 Ohms 1.6 GHz 14 dB 180 W + 200 C SMD/SMT B4E-5 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 250 W 28/32 V RF power LDMOS transistor from HF to 1 GHz Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Opakowanie zbiorcze
743,51 zł
Min.: 100
Wielokr.: 100
: 100
N-Channel Si 2.5 A 90 V 1 Ohms 1 MHz 18 dB 250 W + 200 C SMD/SMT LBB-5 Reel
STMicroelectronics RF MOSFET Transistors 75 W, 28 V, 3.1 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 52 tygodni
Opakowanie zbiorcze
458,52 zł
Min.: 120
Wielokr.: 120
: 120
N-Channel Si 2.5 A 60 V 1 Ohms 3.5 GHz 12.5 dB 75 W + 200 C SMD/SMT B2-3 Reel