4th Generation EF Series MOSFETs

Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs offer an extremely low figure-of-merit (FOM) rating for high-performance switching and high efficiency. The MOSFET FOM is calculated as ON-resistance (R(DS)ON) multiplied by gate charge (Qg). Built on Vishay 4th generation super-junction technology, these MOSFETs feature a low typical ON-resistance range of 0.088Ω to 0.225Ω at VGS=10V and a gate charge down to 21nC. For improved switching performance, these devices provide low effective output capacitances (Co(er) and Co(tr)). These values translate into reduced conduction and switching losses to save energy. Vishay / Siliconix 4th Generation EF Series MOSFETs are offered in PowerPAK® 8x8 and TO-220AB packages. The series is designed to withstand overvoltage transients in avalanche mode with guaranteed limits through 100% UIS testing.

Wyniki: 22
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 16A N-CH MOSFET 1 161Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 68 mOhms 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs TO220 600V 8.4A N-CH MOSFET 1 516Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 193 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET 1 286Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 18 A 225 mOhms 30 V 5 V 65 nC - 55 C + 150 C 223 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 29A N-CH MOSFET 1 559Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 88 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 600V 41A N-CH MOSFET 852Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms 30 V 5 V 27 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs PWRPK 600V 16A N-CH MOSFET 2 478Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 168 mOhms 30 V 5 V 21 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs PWRPK 600V 23A N-CH MOSFET 2 647Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK 8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 109 mOhms 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 25A N-CH MOSFET 489Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 109 mOhms 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement TrenchFET
Vishay Semiconductors MOSFETs TOLL 600V 47A E SERIES 5 044Na stanie magazynowym
2 000Oczekiwane: 15.02.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 80 V 66 A 12.5 mOhms 20 V 2.5 V 45 nC - 55 C + 175 C 135 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 600V 61A N-CH MOSFET 373Na stanie magazynowym
500Oczekiwane: 08.10.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1
Maks.: 1 000

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 40 mOhms 30 V 3 V 84 nC - 55 C + 150 C 357 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFETs 600V PowerPAK 8x8 N-CHANNEL 1 819Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 x 8 N-Channel 1 Channel 600 V 36 A 71 mOhms 30 V 5 V 50 nC - 55 C + 150 C 202 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 41A N-CH MOSFET 733Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs E Series Pwr MOSFET w/Fast Body Diode 415Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 100 mOhms 30 V 5 V 35 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO252 600V 19A N-CH MOSFET 69Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 21.09.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 201 mOhms 30 V 3 V 21 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs TO247 600V 25A N-CH MOSFET 353Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs TO247 600V 8.4A N-CH MOSFET 332Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8.4 A 168 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs PWRPK 600V 21A N-CH MOSFET 1 375Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 40 V 35.4 A 2.3 mOhms 30 V 2.5 V 70 nC - 55 C + 150 C 65.7 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors MOSFETs N-CHANNEL 600V
2 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT TO-263AB-4 N-Channel 1 Channel 600 V 46 A 55 mOhms 30 V 5 V 63 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 600V 41A N-CH MOSFET
2 000Oczekiwane: 23.04.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 68 mOhms 30 V 5 V 51 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Vishay Semiconductors MOSFETs TO263 600V 25A N-CH MOSFET
1 000Oczekiwane: 02.11.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 125 mOhms 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement
Vishay / Siliconix MOSFETs TO263 600V 8.4A N-CH MOSFET
953Oczekiwane: 21.12.2026
Min.: 1
Wielokr.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 8.4 A 168 mOhms 30 V 5 V 32 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET 1 000Dostępne w magazynie
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 125 mOhms 30 V 5 V 31 nC - 55 C + 150 C 179 W Enhancement