PLN Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej 300 zł (PLN). Wszystkie dostępne opcje płatności
Euro Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej 75 € (EUR). Wszystkie dostępne opcje płatności
USD Międzynarodowe Reguły Handlu:DDP W wybranych metodach wysyłki wszystkie ceny zawierają cło i opłaty celne. Darmowa wysyłka dla większości zamówień powyżej $90 (USD). Wszystkie dostępne opcje płatności
Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny Zobacz specyfikację produktu
Generowanie łącza nie powiodło się. Spróbuj ponownie.
Tranzystor FET GaN LMG341xR150
Texas Instruments LMG341xR150 GaN FET ze zintegrowanym sterownikiem i zabezpieczeniem pozwala projektantom osiągnąć nowy poziom gęstości mocy i wydajności w systemach energoelektroniki. LMG341xR150 GaN FET charakteryzuje się bardzo niską pojemnością wejściową i wyjściową, zerowym odzyskiem sygnału zwrotnego, aby zmniejszyć straty przełączania nawet o 80%, oraz niskim poziomem dzwonienia węzła przełącznika w celu zmniejszenia zakłóceń elektromagnetycznych. Cechy te pozwalają tworzyć gęste i wydajne topologie, na przykład układy typu totem pole PFC.