MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs

Vishay Semiconductors MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs feature 1200V drain-source voltage, fast switching speed, and 3μs short circuit withstand time. These MOSFETs also feature maximum power dissipation of 56W to 288W (Tc = 25°C) and continuous drain current of 10.5A to 53A (Tc = 25°C). The MXP120 MaxSiC™ 1200V N-Channel MOSFETs are halogen-free and are available in TO-247AD 3L, TO-247AD 4L, and TO-263 7L packages. These MOSFETs are used in chargers, auxiliary motor drives, and DC-DC converters.

Wyniki: 17
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Styl mocowania Opakowanie/obudowa Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET 800Na stanie magazynowym
46,29 zł
33,48 zł
27,90 zł
25,61 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Oczekiwane: 25.11.2026
48,80 zł
35,68 zł
30,98 zł
26,88 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Oczekiwane: 25.11.2026
48,36 zł
35,33 zł
30,71 zł
26,62 zł
26,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-3 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 84 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
799Oczekiwane: 14.04.2027
38,59 zł
27,28 zł
22,70 zł
20,24 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
599Oczekiwane: 14.04.2027
41,84 zł
26,80 zł
23,28 zł
20,94 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
799Oczekiwane: 14.04.2027
35,16 zł
24,02 zł
19,80 zł
17,64 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
583Oczekiwane: 14.04.2027
38,37 zł
23,98 zł
20,68 zł
18,48 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 100 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 45 nC - 55 C + 175 C 174 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Oczekiwane: 14.04.2027
40,66 zł
22,57 zł
20,86 zł
18,17 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4L 1 Channel 1.2 kV 18 A 200 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 25 nC - 55 C + 175 C 109 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Oczekiwane: 14.04.2027
Odcinek taśmy
32,03 zł
17,38 zł
15,97 zł
13,29 zł
Opakowanie zbiorcze
13,29 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 12 A 313 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 15 nC - 55 C + 175 C 85 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Oczekiwane: 14.04.2027
60,02 zł
34,67 zł
32,25 zł
30,27 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Oczekiwane: 25.12.2026
47,17 zł
35,11 zł
29,26 zł
26,09 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 1.2 kV 52 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 82 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Oczekiwane: 30.12.2026
50,38 zł
37,00 zł
32,30 zł
27,94 zł
27,46 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 51 A 56 mOhms - 10 V, 22 V 2.8 V 83 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Oczekiwane: 01.01.2027
Odcinek taśmy
43,38 zł
24,24 zł
23,36 zł
19,84 zł
Opakowanie zbiorcze
19,84 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 41 A 79 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 58 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Oczekiwane: 30.12.2026
43,16 zł
28,03 zł
24,38 zł
21,96 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
800Oczekiwane: 25.12.2026
Odcinek taśmy
39,78 zł
22,04 zł
20,86 zł
17,73 zł
Opakowanie zbiorcze
17,73 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7L 1 Channel 1.2 kV 32 A 100 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 47 nC - 55 C + 175 C 185 W Enhancement
Vishay Semiconductors SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Oczekiwane: 30.12.2026
39,29 zł
24,99 zł
21,69 zł
19,14 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 79 mOhms - 10 V, 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement
Vishay / Siliconix SiC MOSFETs 1200-V N-CHANNEL SIC MOSFET
600Oczekiwane: 14.04.2027
62,35 zł
36,12 zł
33,66 zł
31,81 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Through Hole TO-247AD-3L 1 Channel 1.2 kV 53 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 69 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement