Tranzystory GaN FET – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

CoolGaN™ 600V GIT HEMTs

Infineon Technologies CoolGaN™ 600V Gate Injection Technology (GIT) High-Electron-Mobility Transistors (HEMTs) offer fast turn-on and turn-off speeds at minimum switching losses. These GaN enhancement-mode power transistors are available in a ThinPAK 5x6 surface-mount package, ideal for applications that require a compact device without a heatsink. The small 5mm x 6mm² footprint and low 1mm profile height makes the Infineon Technologies CoolGaN™ 600V GIT HEMTs perfect for achieving high power density.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 3

Zastosowane filtry:

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	Styl mocowania	Polaryzacja tranzystora	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Technologia
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R140D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 14,74 zł 4 511Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IGLR65R140D2XUMA1 Nr części Mouser 726-IGLR65R140D2XUMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	4 511Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 14,74 zł 7,48 zł 6,78 zł 5,54 zł 5,32 zł Opakowanie zbiorcze 4,71 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 5 000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	13 A	170 mOhms	- 10 V	1.6 V	2.6 nC	- 55 C	+ 150 C	46 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R200D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 10,87 zł 4 815Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IGLR65R200D2XUMA1 Nr części Mouser 726-IGLR65R200D2XUMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	4 815Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 10,87 zł 5,37 zł 4,84 zł 3,90 zł Przeglądaj Opakowanie zbiorcze 3,09 zł 3,74 zł 3,68 zł 3,09 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 5 000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	9.2 A	240 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.8 nC	- 55 C	+ 150 C	33 W	Enhancement	GaN
GaN FETs HV GAN DISCRETES IGLR65R270D2XUMA1 Infineon Technologies 1: 9,46 zł 4 699Na stanie magazynowym	Produc. Nr części IGLR65R270D2XUMA1 Nr części Mouser 726-IGLR65R270D2XUMA	Infineon Technologies	GaN FETs HV GAN DISCRETES Dowiedz się więcej o Infineon Technologies infineon coolgan gen2 650v transistors	Karta charakterystyki	4 699Na stanie magazynowym	Odcinek taśmy 9,46 zł 4,62 zł 3,93 zł 3,28 zł Opakowanie zbiorcze 2,58 zł Przeglądaj 3,09 zł 3,01 zł 2,56 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 : 5 000	SMD/SMT	HEMT	1 Channel	650 V	7.2 A	330 mOhms	- 10 V	1.6 V	1.4 nC	- 55 C	+ 150 C	28 W	Enhancement	GaN

CoolGaN™ 600V GIT HEMTs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie

Udostępnij to

CoolGaN™ 600V GIT HEMTs

Zastosowane filtry: