HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors

STMicroelectronics HB/HB2 Series Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) combine a very low saturation voltage (down to 1.6V) with a minimal collector current turn-off tail and a maximum operating temperature of 175°C. This enhances the efficiency of high-frequency applications (up to 100kHz) and leverages the advanced proprietary Trench Gate Field-Stop (TGFS) structure.

Rodzaje tranzystorów
Zmień widok kategorii
Wyniki: 28
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Rodzaj produktu
Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 22 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
Karta charakterystyki
Niedostępne na stanie, czas realizacji zamówienia 15 tygodni
Min.: 1 000
Wielokr.: 1 000
: 1 000

IGBT Transistors
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
Karta charakterystyki
Czas realizacji 22 tygodni
Min.: 1
Wielokr.: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P