Tranzystory JFET RF 5 G i tranzystory FET LDMOS

Tranzystory polowe złączowe JFET i tranzystory polowe typu metal-tlenek-półprzewodnik LDMOS 5G RF firmy MACOM to wysokiej mocy tranzystory wzmocnione termicznie dla bezprzewodowej transmisji nowej generacji. Urządzenia te oferują technologię tranzystorów o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT) GaN na SiC, dopasowanie sygnału wejściowego, wysoką wydajność oraz ulepszoną termicznie obudowę do montażu powierzchniowego z kołnierzem bez uszu. Tranzystory MACOM 5G RF JFET i LDMOS FET idealnie nadają się do stosowania w wielostandardowych komórkowych wzmacniaczach mocy. 

Rodzaje półprzewodników

Zmień widok kategorii
Wyniki: 8
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS
MACOM GaN FETs 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 53Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 50

MACOM RF MOSFET Transistors 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz 90Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250

MACOM GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz 17Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 50

MACOM RF MOSFET Transistors 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz Niedostępne na stanie
Min.: 50
Wielokr.: 50
: 50

MACOM GaN FETs 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

MACOM GaN FETs 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz

MACOM GaN FETs 480W GaN HEMT 48V 3800MHz

MACOM GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz