Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Wróć do Wyników wyszukiwania

Widzisz błąd?

NVHL015N065SC1

Name: onsemi NVHL015N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NVHL015N065SC1
Price: 140.49 PLN
Availability: InStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

863-NVHL015N065SC1

Nr prod.:

NVHL015N065SC1

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

Karta charakterystyki:

NVHL015N065SC1 Karta charakterystyki

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o onsemi NVHL015N065SC1

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	onsemi
Kategoria produktów:	Moduły MOSFET SIC
RoHS:
REACH - SVHC:
Styl mocowania:	Through Hole
Opakowanie/obudowa:	TO-247-3
Liczba kanałów:	1 Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	650 V
Id – Ciągły prąd drenu:	163 A
Rds On – rezystancja dren–źródło:	12 mOhms
Vgs – Napięcie bramka–źródło:	- 8 V, + 22 V
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	4.3 V
Qg – ładunek bramki:	283 nC
Minimalna temperatura robocza:	- 55 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 175 C
Pd – strata mocy:	643 W
Tryb kanału:	Enhancement
Nazwa handlowa:	EliteSiC
Marka:	onsemi
Konfiguracja:	Single
Czas zanikania:	11 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.:	44 S
Opakowanie:	Tube
Rodzaj produktu:	SiC MOSFETS
Czas narastania:	77 ns
Seria:	NVHL015N065SC1
Wielkość opakowania producenta:	30
Podkategoria:	Transistors
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia:	47 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia:	25 ns

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

NVHL015N065SC1 Karta charakterystyki

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Chiny
Kraj montażu:: Chiny
Kraj wytworzenia:: Korea Południowa

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

M2 EliteSiC MOSFETs

onsemi M2 EliteSiC MOSFETs feature voltage options of 650V, 750V, and 1200V. The onsemi M2 MOSFETs come in various packages, including D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD, and TO-247-4LD. The MOSFETs provide flexibility in design and implementation. Additionally, the M2 EliteSiC MOSFETs boast a maximum gate-to-source voltage of +22V/-8V, low R_DS(on), and high short circuit withstand time (SCWT).

NVHL015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

onsemi NVHL015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET employs new technology that provides superior switching performance and high reliability. This SiC MOSFET features n-channel, high efficiency, faster operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. The NVHL015N065SC1 MOSFET offers low ON resistance and compact chip size, which ensures low capacitance and gate charge. This EliteSiC MOSFET is 100% UIL tested and AEC−Q101 qualified. The NVHL015N065SC1 MOSFET features 650V drain−to−source voltage and 12mohm resistance. Typical applications include automotive traction inverters, DC/DC converters for EV/HEV, and onboard chargers.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI

NxT2023N065M3S EliteSiC MOSFETs

Feature low effective output capacitance and ultra-low gate charge.

Dowiedz się więcej

NXVF6532M3TG01 650V EliteSiC H-Bridge Power MOSFET

Delivers superior efficiency, fast switching, and robust thermal performance.

Dowiedz się więcej

NVBG050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Features a maximum 76mΩ @ 20V maximum R_DS(ON), and 1700V drain-to-source voltage.

Dowiedz się więcej

NTBL032N065M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Designed for fast switching applications, offering reliable performance.

Dowiedz się więcej

NVH4L050N170M1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Deliver exceptional performance with a typical RDS(on) of 53mΩ at VGS = 20V.

Dowiedz się więcej

Na stanie magazynowym: 390

Stany magazynowe:: 390 Wysylamy natychmiast

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 43 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.

Wpisz ilość:

Minimum: 1 Wielokrotności: 1

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	140,49 zł	140,49 zł
	101,26 zł	1 012,60 zł
	100,63 zł	12 075,60 zł

NVHL015N065SC1

Produc.: onsemi

Opis: SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

Specyfikacja

Dokumenty (2)

Karta charakterystyki

PCN

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

M2 EliteSiC MOSFETs

NVHL015N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET

Pozostali klienci kupili również

WYRÓŻNIONE PRODUKTY ONSEMI

Na stanie magazynowym: 390

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

onsemi

Opis:

SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 650V

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

ONSEMI