Moduły MOSFET SIC – Mouser Polska

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

NVH4L022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

ON Semiconductor NVH4L022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The ON Semiconductor NVH4L022N120M3S features low ON resistance and a compact chip size that ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Wyniki: 2

Zastosowane filtry:

Opakowanie/obudowa

Id – Ciągły prąd drenu

Rds On – rezystancja dren–źródło

Qg – ładunek bramki

Pd – strata mocy

Nazwa handlowa

Resetuj wszystko

Wyszukiwanie w obrębie wyników

Na stanie magazynowym

Normalny stan magazynowy

Aktywny

Nowe produkty

Zgodne z RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Wybierz	Obraz	Nr części	Produc.	Opis	Karta charakterystyki	Dostępność	Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.	Il.	RoHS	Model ECAD	Styl mocowania	Opakowanie/obudowa	Liczba kanałów	Vds – Napięcie przebicia dren–źródło	Id – Ciągły prąd drenu	Rds On – rezystancja dren–źródło	Vgs – Napięcie bramka–źródło	Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło	Qg – ładunek bramki	Minimalna temperatura robocza	Maksymalna temperatura robocza	Pd – strata mocy	Tryb kanału	Nazwa handlowa
	SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V NVH4L070N120M3S-IE onsemi 1: 71,15 zł 450Na stanie magazynowym Nowe produkty	Produc. Nr części NVH4L070N120M3S-IE Nr części Mouser 863-H4L070N120M3S-IE Nowe produkty	onsemi	SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 70MOHM M3S 1200V Dowiedz się więcej o onsemi nvh4l022n120m3s mosfets		450Na stanie magazynowym	71,15 zł 45,28 zł	Min.: 1 Wielokr.: 1 Maks.: 45			Through Hole	TO-247-4L	1 Channel	1.2 kV	34 A	87 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	160 W	Enhancement
	SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V NVH4L022N120M3S onsemi 1: 130,77 zł 232Na stanie magazynowym	Produc. Nr części NVH4L022N120M3S Nr części Mouser 863-NVH4L022N120M3S	onsemi	SiC MOSFETs SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V Dowiedz się więcej o onsemi nvh4l022n120m3s mosfets	Karta charakterystyki	232Na stanie magazynowym	130,77 zł 96,01 zł 95,08 zł 91,56 zł Przeglądaj Oferta	Min.: 1 Wielokr.: 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	68 A	30 mOhms	- 10 V, + 22 V	4.4 V	151 nC	- 55 C	+ 175 C	352 W	Enhancement	EliteSiC

NVH4L022N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Zastosowane filtry:

Biuro Obsługi Klienta

Firma

Zasoby

Wsparcie