Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Nazwa handlowa Opakowanie
Infineon Technologies MOSFETs N-Ch 100V 90A TDSON-8 14 866Na stanie magazynowym
10 000Oczekiwane: 05.11.2026
Odcinek taśmy
8,84 zł
4,31 zł
3,86 zł
3,07 zł
Opakowanie zbiorcze
2,57 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 7 mOhms 20 V 2.2 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
2 983Oczekiwane: 28.01.2027
Odcinek taśmy
14,56 zł
9,50 zł
6,64 zł
5,54 zł
Opakowanie zbiorcze
4,84 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 4 000
Si SMD/SMT SuperSO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 80 A 7 mOhms 20 V 3.8 V 38 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape