Automotive MDmesh V Power MOSFET

STMicroelectronics Automotive MDmesh™ V Power MOSFET is the industry’s first 650V AEC-Q101 automotive-qualified MOSFETs in the popular TO-247 package. The 650V rating provides a greater safety margin when exposed to high-voltage spikes, enhancing the reliability of automotive power and control modules. This device offers extremely low on-resistance (RDS(on)) as low as 0.032Ω, combined with the compact TO-247 outline, enhances system energy efficiency and power density. Gate charge (Qg) and input capacitance are also low, resulting in an outstanding Qg x RDS(on) figure of merit (FOM) with high switching performance and efficiency.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Nazwa handlowa
Opakowanie

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 46A Auto 0.041 Ohm MDMesh M5
Karta charakterystyki
1 000Na stanie magazynowym
54,47 zł
30,54 zł
29,74 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 710 V 46 A 41 mOhms 25 V 4 V 142 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.033 Ohm 69 A MDmesh(TM)
Karta charakterystyki
257Oczekiwane: 16.11.2026
56,63 zł
45,63 zł
39,95 zł
33,13 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 69 A 24 mOhms 25 V 4 V 203 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement AEC-Q100 MDmesh Tube