Wygląda na to, że masz wyłączoną obsługę JavaScript w przeglądarce. Niektóre funkcje na tej stronie nie będą działać bez zalogowania.

Widzisz błąd?

CGHV14800F

Name: MACOM CGHV14800F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV14800F
Price: 5649.8 PLN
Availability: OutOfStock

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny
Zobacz specyfikację produktu

Nr Mouser:

941-CGHV14800F

Nr prod.:

CGHV14800F

Produc.:

MACOM

Opis:

GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

Karta charakterystyki:

CGHV14800F Karta charakterystyki (PDF)

Model ECAD:

Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Więcej informacji

Dowiedz się więcej o MACOM CGHV14800F

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atrybuty produktu	Wartość atrybutu	Wybierz atrybut
Producent:	MACOM
Kategoria produktów:	Tranzystory GaN FET
RoHS:
Styl mocowania:	Screw Mount
Opakowanie/obudowa:	440117
Polaryzacja tranzystora:	N-Channel
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło:	150 V
Id – Ciągły prąd drenu:	24 A
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło:	- 3.8 V
Minimalna temperatura robocza:	- 40 C
Maksymalna temperatura robocza:	+ 100 C
Marka:	MACOM
Zestaw projektowy:	CGHV14800F-TB
Wzmocnienie:	14 dB
Maksymalna częstotliwość robocza:	1.4 GHz
Minimalna częstotliwość robocza:	1.2 GHz
Moc wyjściowa:	800 W
Opakowanie:	Tray
Rodzaj produktu:	GaN FETs
Wielkość opakowania producenta:	10
Podkategoria:	Transistors
Technologia:	GaN
Rodzaj tranzystora:	GaN HEMT
Vgs – Napięcie przebicia bramka–źródło:	- 10 V to 2 V
Jednostka masy:	71 g

Znalezione produkty:

Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru

Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.

Wybrane atrybuty: 0

Filtruj dokument:

Karta charakterystyki

CGHV14800F Karta charakterystyki (PDF)

PCN

Ta funkcja wymaga włączonej obsługi języka JavaScript.

Kody zgodności

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Klasyfikacja pochodzenia

Kraj pochodzenia:: Stany Zjednoczone
Kraj montażu:: Niedostępne
Kraj wytworzenia:: Niedostępne

Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

CGHV14800 GaN HEMT

MACOM CGHV14800F 800W Gallium-Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed specifically for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. The module is ideal for 1.2GHz to 1.4GHz L-band radar amplifier applications, such as air traffic control (ATC), weather, penetration, and military. MACOM CGHV14800F GaN HEMT operates at 50V, typically delivering more than 65% drain efficiency. This device is supplied in a ceramic/metal flange type 440117 package.

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

MACOM

GaN on SiC Transistors

Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.

Dowiedz się więcej

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT

Offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band.

Dowiedz się więcej

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.

Dowiedz się więcej

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.

Dowiedz się więcej

Tranzystory JFET RF 5 G i tranzystory FET LDMOS

Tranzystory wysokiej mocy wzmocnione termicznie dla bezprzewodowej transmisji nowej generacji.

Dowiedz się więcej

Dostępność

Stany magazynowe:: Niedostępne na stanie

Wystąpił nieoczekiwany błąd. Spróbuj ponownie później.
Średni czas produkcji:: 26 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce.

W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.

Wpisz ilość:

Minimum: 10 Wielokrotności: 10

Cena jednostkowa:

-,-- zł

wewn. Cena:

-,-- zł

Szac. taryfa:

Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il.	Cena jednostkowa	wewn. Cena
	5 649,80 zł	56 498,00 zł

CGHV14800F

Produc.: MACOM

Opis: GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

Specyfikacja

Dokumenty (4)

Karta charakterystyki

PCN

Dokumenty dotyczące środowiska

Zgodność ze standardami produktowymi i przepisami handlu

Więcej informacji

CGHV14800 GaN HEMT

WYRÓŻNIONE PRODUKTY MACOM

Dostępność

Cennik (PLN)

QuickView (Szybki podgląd)

Wystąpił nieoczekiwany błąd.

Produc.:

MACOM

Opis:

GaN FETs GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

WYRÓŻNIONE PRODUKTY

MACOM