BSM300D12P2E001

ROHM Semiconductor
755-BSM300D12P2E001
BSM300D12P2E001

Produc.:

Opis:
MOSFET Modules 300A SiC Power Module

Karta charakterystyki:
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.
Więcej informacji
Dowiedz się więcej o ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
ROHM Semiconductor
Kategoria produktów: Moduły MOSFET
RoHS:  
SiC
Screw Mount
Module
N-Channel
2 Channel
1.2 kV
300 A
- 6 V, + 22 V
2.7 V
- 40 C
+ 150 C
1.875 kW
BSMx
Bulk
Marka: ROHM Semiconductor
Konfiguracja: Dual
Czas zanikania: 65 ns
Wysokość: 15.4 mm
Długość: 152 mm
Rodzaj produktu: MOSFET Modules
Czas narastania: 70 ns
Wielkość opakowania producenta: 4
Podkategoria: Discrete and Power Modules
Rodzaj: SiC Power Module
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 250 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 80 ns
Vr – napięcie wsteczne: 1.2 kV
Szerokość: 62 mm
Jednostka masy: 444,780 g
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Kody zgodności
TARIC:
8541590000
CNHTS:
8504409100
CAHTS:
8541590000
USHTS:
8541590080
JPHTS:
854159000
MXHTS:
8541500100
BRHTS:
85415020
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Japonia
Kraj montażu:
Niedostępne
Kraj wytworzenia:
Niedostępne
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

Silicon Carbide (SiC) Power Devices

ROHM Semiconductor SiC Power Devices deliver 10x the dielectric breakdown field strength, 3x the bandgap, and 3x the thermal conductivity of conventional silicon solutions. This translates to lower switching loss, lower ON resistance, and support for high-temperature operation, making it possible to minimize power loss along with module size. ROHM SiC Power Devices also allow designers to use fewer components, further reducing design complexity.

SiC Power Modules

ROHM Semiconductor SiC power modules are half-bridge SiC modules that integrate a SiC MOSFET and SiC SBD into a single package. These ROHM modules support high-frequency operation through reduced switching loss. The optimized design reduces stray inductance compared to existing solutions. And to prevent excessive heat generation, E Type models that integrate an additional thermistor are offered.

BSM300D12P2E001 SiC Power Module

ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 SiC Power Module is a half-bridge module consisting of a Silicon Carbide DMOSFET and a Silicon Carbide Schottky Barrier Diode. ROHM Semiconductor BSM300D12P2E001 SiC Power Module is designed for motor drives, inverter/converters, photovoltaics, energy harvesting, and induction heating equipment. It has low surge, low switching loss and high-speed switching are possible.

Na stanie magazynowym: 1

Stany magazynowe:
1 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
27 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:
Ten produkt jest wysyłany BEZPŁATNIE

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
3 234,31 zł 3 234,31 zł
3 116,87 zł 37 402,44 zł

Wystąpił nieoczekiwany błąd.


Masz pytanie? Odwiedź Centrum pomocy.
W przypadku pytań dotyczących konkretnego zamówienia, zaloguj się na swoje konto.

W przypadku wystąpienia dalszych problemów skontaktuj się z nami pod numerem 800-346-6873 lub napisz na adres help@mouser.com.