PMVxx P-Channel Trench MOSFETs

Nexperia P-Channel Trench MOSFETS are enhancement mode field-effect transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. They employ Trench MOSFET technology and offer a low threshold voltage and very fast switching. These MOSFETs are ideal for such applications as relay drivers, high-speed line drivers, low-side loadswitches, and switching circuits.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Technologia Styl mocowania Opakowanie/obudowa Polaryzacja tranzystora Liczba kanałów Vds – Napięcie przebicia dren–źródło Id – Ciągły prąd drenu Rds On – rezystancja dren–źródło Vgs – Napięcie bramka–źródło Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło Qg – ładunek bramki Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Pd – strata mocy Tryb kanału Opakowanie
Nexperia MOSFETs PMV33UPE/SOT23/TO-236AB 83Na stanie magazynowym
24 000Oczekiwane: 27.08.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 5.3 A 30 mOhms 8 V 950 mV 14.7 nC - 55 C + 150 C 980 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs PMV75UP/SOT23/TO-236AB
2 268Na stanie magazynowym
9 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.2 A 77 mOhms 12 V 900 mV 5 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs PMV50XP/SOT23/TO-236AB
33 150Dostępna ilość z otwartych zamówień
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 4.4 A 48 mOhms 12 V 900 mV 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.096 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs PMV50XPA/SOT23/TO-236AB
6 000Oczekiwane: 22.01.2027
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 20 V 3.6 A 60 mOhms 10 V 1 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 1.096 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel