NVMFS5830NLWFT1G-UM

onsemi
863-FS5830NLWFT1G-UM
NVMFS5830NLWFT1G-UM

Produc.:

Opis:
MOSFETs NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

Cykl życia:
Nowe produkty:
Nowości od tego producenta.
Model ECAD:
Pobierz bezpłatną aplikację Library Loader, aby skonwertować ten plik do narzędzia ECAD Tool. Dowiedz się więcej o modelu ECAD.

Atrybuty produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
onsemi
Kategoria produktów: Układy MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-5
N-Channel
1 Channel
40 V
185 A
2.3 mOhms
20 V
2.4 V
113 nC
- 55 C
+ 175 C
158 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marka: onsemi
Konfiguracja: Single
Czas zanikania: 27 ns
Transkonduktancja przewodzenia – min.: 38 S
Rodzaj produktu: MOSFETs
Czas narastania: 32 ns
Seria: NVMFS5830NL
Wielkość opakowania producenta: 1500
Podkategoria: Transistors
Rodzaj tranzystora: 1 N-Channel
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 40 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 22 ns
Znalezione produkty:
Aby pokazać podobne produkty, zaznacz przynajmniej jedno pole wyboru
Aby wyświetlić podobne produkty w tej kategorii, zaznacz co najmniej jedno pole wyboru powyżej.
Wybrane atrybuty: 0

Kody zgodności
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Klasyfikacja pochodzenia
Kraj pochodzenia:
Malezja
Kraj montażu:
Malezja
Kraj wytworzenia:
Tajwan
Kraj może ulec zmianie w momencie wysyłki.

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ RDS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

NVMFS5830NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS5830NL Single N-Channel Power MOSFET is a high-efficiency power MOSFET designed for demanding power management applications. Utilizing advanced trench technology, the onsemi NVMFS5830NL delivers exceptionally low RDS(on) performance (2.3mΩ at VGS = 10V), making the MOSFET ideal for minimizing conduction losses in high-current systems. The 5mm x 6mm x 1mm, flat-lead SO-8FL package enhances thermal performance and board space efficiency, while the low gate charge and fast switching characteristics contribute to improved overall system efficiency. A wettable flank option is available for enhanced optical inspection. With the combination of high current capability, low switching losses, and a compact footprint, the NVMFS5830NL is well-suited for use in motor control applications and high-/low-side load switches.

NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low RDS(on) to minimize conduction losses and low QG and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

Na stanie magazynowym: 1 200

Stany magazynowe:
1 200 Wysylamy natychmiast
Średni czas produkcji:
31 tygodni Oczekiwany czas produkcji w fabryce dotyczący ilości większych niż pokazane.
W przypadku tego produktu zgłoszono długi czas realizacji.
Minimum: 1   Wielokrotności: 1   Maksymalnie: 150
Cena jednostkowa:
-,-- zł
wewn. Cena:
-,-- zł
Szac. taryfa:

Cennik (PLN)

Il. Cena jednostkowa
wewn. Cena
7,35 zł 7,35 zł
5,00 zł 50,00 zł
4,19 zł 419,00 zł
Komplet Opakowanie zbiorcze (zamówienie w wielokrotności 1500)
4,19 zł 6 285,00 zł