NX6008NBK N-channel Trench MOSFETs

Nexperia NX6008NBK N-channel Trench MOSFETs are designed for fast switching actions and feature low threshold voltage. These MOSFETs operate at 60V drain-source voltage (VDS), 8V maximum gate-source voltage (VGS), and -55°C to 150°C junction temperature range (Tj). The NX6008NBK MOSFETs are used in applications like relay drivers, high-speed line drivers, low-side load switches, and switching circuits.

Wyniki: 3
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Minimalna temperatura robocza
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Opakowanie
Nexperia MOSFETs NX6008NBKS/SOT363/SC-88
Karta charakterystyki
18 456Na stanie magazynowym
3 000Oczekiwane: 20.08.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-363-6 N-Channel 2 Channel 60 V 220 mA 2.7 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 460 pC - 55 C + 150 C 286 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
Karta charakterystyki
35 795Na stanie magazynowym
99 000Dostępna ilość z otwartych zamówień
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 270 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 500 pC - 55 C + 150 C 330 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFETs NX6008NBKW/SOT323/SC-70
Karta charakterystyki
56 676Oczekiwane: 13.08.2027
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 250 mA 2.8 Ohms - 8 V, 8 V 900 mV 500 pC - 55 C + 150 C 300 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel