Automotive U-MOSX-H MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSX-H MOSFETs are AEC-Q101 qualified with low drain-source on-resistance. These devices feature a low leakage current of IDSS = 10µA (max) (VDS = 100V). The Toshiba Automotive U-MOSX-H MOSFETs are ideal for automotive, switching voltage, regulators, DC-DC converters, and motor drivers.

Wyniki: 4
Wybierz Obraz Nr części
 Produc.
Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości.
Il. RoHS Model ECAD Technologia
Styl mocowania
Opakowanie/obudowa
Polaryzacja tranzystora
Liczba kanałów
Vds – Napięcie przebicia dren–źródło
Id – Ciągły prąd drenu
Rds On – rezystancja dren–źródło
Vgs – Napięcie bramka–źródło
Vgs th – Napięcie progowe bramka–źródło
Qg – ładunek bramki
Maksymalna temperatura robocza
Pd – strata mocy
Tryb kanału
Kwalifikacje
Opakowanie
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR SOP-ADVANCE(E) PD=250W F=1MHZ
Karta charakterystyki
3 334Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 238 A 1.9 mOhms 20 V 3.5 V 108 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Karta charakterystyki
Uwagi o produktach
1 202Na stanie magazynowym
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 1 000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 1.92 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 184 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs 80V 2.55mOhm N-ch MOSFET AEC-Q SOP Advance(WF)
Karta charakterystyki
5 000Oczekiwane: 16.11.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.55 mOhms 20 V 3.5 V 95 nC + 175 C 170 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR SOP Advance(WF) PD=132W F=1MHZ
Karta charakterystyki
5 000Oczekiwane: 03.08.2026
Dostępność opcji MouseReel
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 80 A 5.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 63 nC + 175 C 132 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel