LMG3526R050 650V GaN FET

Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET with integrated driver and protection targets switch-mode power converters and enables designers to achieve new power density and efficiency levels. The LMG3526R050 integrates a silicon driver that enables switching speeds up to 150V/ns. TI offers integrated precision gate bias, resulting in higher switching SOA than discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers minimal ringing and clean switching in hard-switching power supply topologies. The adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 15V/ns to 150V/ns. This control can be used to control EMI and actively optimize switching performance.

Wyniki: 2
Wybierz Obraz Nr części Produc. Opis Karta charakterystyki Dostępność Wycena (PLN) Filtruj wyniki w tabeli wg ceny jednostkowej zależnej od ilości. Il. RoHS Model ECAD Produkt Styl mocowania Opakowanie/obudowa Minimalna temperatura robocza Maksymalna temperatura robocza Seria Opakowanie
Texas Instruments Gate Drivers 650-V 50-m? GaN FET with integrated driv 1 935Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
72,42 zł
57,73 zł
53,99 zł
50,34 zł
Opakowanie zbiorcze
45,06 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 2 000
GaN FET SMD/SMT VQFN-52 - 40 C + 125 C LMG3526R050 Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Gate Drivers 650-V 50-mOhm GaN FE T With Integrated D 250Na stanie magazynowym
Odcinek taśmy
89,80 zł
71,76 zł
67,32 zł
62,35 zł
Opakowanie zbiorcze
53,77 zł
Min.: 1
Wielokr.: 1
: 250
GaN FET SMD/SMT VQFN-52 - 40 C + 125 C LMG3526R050 Reel, Cut Tape, MouseReel